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  场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(juncon FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(~ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管强大竞争者 效应管(FET)利用控制输入回路电场效应来控制输出回路电流种半导体器件,并以此命名。由于它仅靠半导体中多数载流子导电,又称单极型晶体管。FET 英文为Field Effect Transistor,简写成FET。

  场效应管工作原理用句话说,就“漏极-源极间流经沟道ID,用以栅极与沟道间pn结形成反偏栅极电压控制ID”↑正确地说,ID流经通路宽度,即沟道截面积,它由pn结反偏变化,产生耗尽层扩展变化控制缘故。在VGS=非饱和区域,表示过渡层扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS电场,源极区域某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。

  从门极向漏极扩展过度层将沟道部分构成堵塞型,ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道部分阻挡,并不电流被切断。 在过渡层由于没有电子、空穴自由移动,在理想状态下几乎具有绝缘特性,通崇流也难流动~此时漏极-源极间电场,实际上两个过渡层接触漏极与门极下部附近,由于漂移电场拉去高速电子通过过渡层。因漂移电场强度几乎不变产生ID饱和现象。其次,VGS向负方向变化,让VGS=VGS(off),此时过渡层大致成为覆盖全区域状态▲且VDS电场大部分加到过渡层上,将电子拉向漂移方向电场,只有靠近源极很短部分,这更使电流不能流通。

  作用:.场效应管可应用于放大。.场效应管很高输入阻壳常适合作阻抗变换。.场效应管可以用作可变电阻。.场效应管可以方便地用作恒流源。.场效应管可以用作电子开关。

  如下图:

  与双极型晶体管相比,场效应管具有如下特点。

  ()场效应管电压控制器件,它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏极电流);

  ()场效应管控制输入端电流极小,因此它输入电阻(~ω)很大。

  ()它利用多数载流子导电,因此它温度稳定性较好;

  ()它组成放大电路电雅大系数要小于三极管组成放大电路电雅大系数;

  ()场效应管盔射能力强;

  ()由于它不存在杂乱运动电子扩散引起散粒噪声,所以噪声低。

  方案要用P沟道场管,IRFNN沟道,不能用,还要求PLCOC端能承受V电压,这点可能不行。

  方案用N沟道场管,IRFN可行。

  两个方案都低电平接通电磁阀,高电平断开。

  场效应管要注意防静电。很容易烧坏。举个例子:做个场效应管开关电路,控制w v电磁铁 ,电源 直流v ,信号电压 v,最低.v ,信号和输出都两个 ,个离合, 个刹车 ,交替运行 每秒大约次〗法:.至V信号电压通过限流电阻接至三极管基极,三极管集电极触发由CD数字集成电路电路组成单稳态电路,数字电路输出端Q和Q非分别驱动个场效应管,二个效应管均可驱动电磁铁线圈,使离合、刹车交替进行,选取合适单稳态电阻和电容元件可以使离合 、刹车每秒次以上。

  场效应管电压控制元件,仅仅在开关时候需要从栅极吸收或者释放电流,因此驱动损耗较小∴子器件,没有电导调制效应,有个近似线性I-V关系,导通压降随着电流增大增大∵耐压场效应管漂移区较厚,因此导通电阻较大〖通电阻具有正温度系数,并联时候可以实现自动均流¤半导体MOSFET耐压等级为V以下。这因为导通压降和耐压关系限制。新型碳化硅MOSFET耐压等级可以做到V≡于高耐压情况,IGBT结合MOSFET和晶体管特性,具有MOSFET优异开关性能和晶体管静态性能,在V~V应用场合更受到青睐。

  下面按顺序 型号 耐压 功率 SK GHN IXGHN IXGHN SK

  场效应管英文缩写为FET。可分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(MOSFET),我们平常简称为MOS管▲MOS管又可分为增强型和耗尽型而我们平常主板中常见使用也就增强型MOS管。

  下图为MOS管标识

  我们主板中常用MOS管GDS三个引脚侍定,不管N沟道还P沟道都样,把芯片放正,从左到右分别为G极D极S极!如下图:用二极管档对MOS管测量,首先要短接三只引脚对管子进行放电。

  然后用红表笔接S极。黑表笔接D极。如果测得有多数值,说明此管为N沟道。

  黑笔不动,用红笔去接触G极测得数值为

  红笔移回到S极∷时管子应该为导通

  然后红笔测D极▲黑笔测S极。应该测得数值为。(这步时要注意。因为之前测量时给G极。V万用表电压,所以DS之间还导通,不过大概几秒后才恢复正常,建议进行这步时再次短接三脚给管子放电先)

  然后红笔不动。黑笔去测G极,数值应该为

  到此我们可以判定此N沟道场管为正常。有人说后面两步可以省略不测,不过我习惯性把五个步骤全用上,呵呵,个人习惯问题!!!当然≡P沟道测量步骤也样,只不过第步为黑表笔测S极。红表笔测D极,可以测得多数值。

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